Магнетосопротивление - Definition. Was ist Магнетосопротивление
Diclib.com
Online-Wörterbuch

Was (wer) ist Магнетосопротивление - definition

Магниторезистивный эффект; Магниторезистор; Магнетосопротивление
  • тока]].
  • тока]], которые в середине образца практически параллельны боковым сторонам (сравните с Рис. 1.).

Магнетосопротивление         

магниторезистивный эффект, изменение электрического сопротивления твёрдого проводника под действием внешнего магнитного поля. Различают поперечное М., при котором электрический ток течёт перпендикулярно магнитному полю, и продольное М. (ток параллелен магнитному полю). Причина М. - искривление траекторий носителей тока в магнитном поле. У полупроводников (См. Полупроводники) относительное изменение сопротивления Δρ/ρ в 100 - 10 000 раз больше, чем у металлов (См. Металлы), и может достигать сотен \%. М. относится к группе гальваномагнитных явлений (См. Гальваномагнитные явления). М. используется для исследования электронного энергетического спектра и механизма рассеяния носителей тока кристаллической решёткой, а также для измерения магнитных полей.

Лит.: Лифшиц И. М., Азбель М. Я., Каганов М. И., Электронная теория металлов, М., 1971; Блатт Ф., Физика электронной проводимости в твердых телах, пер. с англ., М., 1971; Ансельм А. И., Введение в теорию полупроводников, М. - Л., 1962.

Э. М. Эпштейн.

МАГНЕТОСОПРОТИВЛЕНИЕ         
(магниторезистный эффект) , изменение электрического сопротивления проводника под действием магнитного поля. Обусловлено искривлением в магнитном поле траекторий носителей заряда. В обычных металлах при комнатной температуре сопротивление может изменяться на десятые доли % (при низких температурах в тех же полях сильнее), в ферромагнетиках - на единицы % (в поле напряженностью Н МАГНЕТОСОПРОТИВЛЕНИЕ10 кЭ, т. е. МАГНЕТОСОПРОТИВЛЕНИЕ106 А/м). В полупроводниках магнетосопротивление значительно больше и резко зависит от концентрации примесей и температуры.
Магнитосопротивление         
Магнитосопротивление (магниторезистивный эффект) — изменение электрического сопротивления материала в магнитном поле. Впервые эффект был обнаружен в 1856 Уильямом Томсоном. В общем случае можно говорить о любом изменении тока через образец при том же приложенном напряжении и изменении магнитного поля. Все вещества в той или иной мере обладают магнитосопротивлением. Для сверхпроводников, способных без сопротивления проводить электрический ток, существует критическое магнитное поле, которое разрушает этот эффект и вещество переходит в нормальное со

Wikipedia

Магнитосопротивление

Магнитосопротивление (магниторезистивный эффект) — изменение электрического сопротивления материала в магнитном поле. Впервые эффект был обнаружен в 1856 Уильямом Томсоном. В общем случае можно говорить о любом изменении тока через образец при том же приложенном напряжении и изменении магнитного поля. Все вещества в той или иной мере обладают магнитосопротивлением. Для сверхпроводников, способных без сопротивления проводить электрический ток, существует критическое магнитное поле, которое разрушает этот эффект и вещество переходит в нормальное состояние, в котором наблюдается сопротивление. В нормальных металлах эффект магнитосопротивления выражен слабее. В полупроводниках относительное изменение сопротивления может быть в 100—10 000 раз больше, чем в металлах.

Магнитосопротивление вещества зависит и от ориентации образца относительно магнитного поля. Это связано с тем, что магнитное поле не изменяет проекцию скорости частиц на направление магнитного поля, но благодаря силе Лоренца закручивает траектории в плоскости, перпендикулярной магнитному полю. Это объясняет, почему поперечное поле оказывает более сильное влияние на сопротивление, чем продольное. Здесь[где?] речь пойдёт в основном о поперечном магнитосопротивлении двумерных систем, когда магнитное поле ориентировано перпендикулярно к плоскости движения частиц.

На основе магниторезистивного эффекта создают датчики магнитного поля.

Beispiele aus Textkorpus für Магнетосопротивление
1. Увы, обычное магнетосопротивление очень слабое, рассчитывать на особо высокую плотность записи при его использовании не приходилось.
2. В 1'88 году, работая независимо друг от друга, ученые открыли эффект, названный "гигантское магнетосопротивление" (Giant Magnetoresistance - GMR). Впоследствии они объединили свои усилия, чтобы на основе этого эффекта разработать новую технологию.